Transistor Planar de Silicio NPN, 100 Vce, Alta Corriente a 4 Amp, 130 MHz, Potencia Media de 1.2 Watt, TO-92.

Syscom

Transistor Planar de Silicio NPN, 100 Vce, Alta Corriente a 4 Amp, 130 MHz, Potencia Media de 1.2 Watt, TO-92.

Modelo: ZTX853-ND Garantía: 3 años

$7.45 MXN

$8.64 MXN con IVA incluido

⚠️ Últimas 3 piezas disponibles

🚚 Agrega $1,991 más para envío gratis

📦 1 × - × 1 cm · 0.010 kg

Características Principales

Transistor NPN de silicio con 100 V_CE
Alta corriente de 4 Amperios
Frecuencia de operación a 130 MHz
Potencia media de 1.2 Watt
Formato compacto TO-92

Características Eléctricas

V_CEO: 100 V
I_C (continua): 4 A
f_T: 130 MHz
P_tot: 1.2 W
h_FE: 100-300
V_CE(sat): 14-200 mV
V_BE(sat): 960-1100 mV

Características Mecánicas

Encapsulado: TO-92
Temperatura de operación: -55 a +200 °C
Resistencia térmica (Junto a Ambiente): 150 °C/W
Resistencia térmica (Junto a Carcasa): 50 °C/W

Características de Voltaje

V_CBO: 200 V
V_CEO: 100 V
V_EBO: 6 V
V_CE(sat): 14-200 mV
V_BE(sat): 960-1100 mV

Características de Corriente

I_C (continua): 4 A
I_C (pico): 10 A
I_CBO: 5-10 nA
I_EBO: 10 nA

Características de Frecuencia

f_T: 130 MHz
f_test: 50 MHz

Características de Conmutación

t_on: 50 ns
t_off: 1650 ns

Características de Potencia

P_tot a 25°C: 1.2 W
P_tot práctica: 1.58 W

Aplicaciones Típicas

Conmutación de alta corriente
Amplificación de RF
Circuitos de potencia media
Fuentes de alimentación
Control de motores
Circuitos de protección

Transistor NPN de silicio con 100 Vce
Alta corriente de 4 Amperios
Frecuencia de operación de 130 MHz
Potencia media de 1.2 Watt
Encapsulado compacto TO-92 industrial
Temperatura operación -55 a +200 °C

📄 ZTX853